Журнал полупроводников: Полупроводник примесей можно получить путем включения небольшое количество примесей элементов в внутреннеприсущий полупроводник с помощью процесса диффузии.
N-типа полупроводников и полупроводниковых P-типа может быть сформирован согласно примеси элемент легированных, и проводимость полупроводников примеси можно управлять, контролируя концентрацию примесей элемента.
N-типа полупроводников: полупроводников N-типа формируется путем включения элемент Валанса (такими, как фосфор) в чистого кремния кристалл заменить положение атома кремния в кристаллической решетке.
Так как верхний слой атомов примеси имеет пять валентных электронов, помимо формирования ковалентной связи с окружающих атомом кремния, добавляется еще один электрон. Дополнительные электроны не связан ковалентные связи и стать свободных электронов. В полупроводнике N-типа концентрация свободных электронов больше, чем концентрация отверстий, поэтому свободные электроны называются большинство перевозчиков, и отверстия неосновных носителей. Так как atom примесей может предоставить электронов, это называется атомом доноров. Полупроводник P-типа: Полупроводник P-типа формируется допинг трехвалентного элемент (например, бора) в чистого кремния кристалл заменить положение атома кремния в кристаллической решетке.
Поскольку внешний слой атомов примеси имеет три валентных электронов, когда они формируют ковалентной связи с окружающих атомом кремния, формируется «вакансии». Когда внешний электрон атома кремния заполняет вакансии, в нем создается ее ковалентной связи отверстие. Таким образом, в полупроводник P-типа отверстия являются несколько частей и свободных электронов являются меньшинством. Так как вакансий в примесных атомов поглощать электронов, они называются акцептора атомов.
Соединения PN
Соединения PN: P-тип полупроводников и полупроводников N-типа изготавливаются на же кремниевой пластины, с использованием различных процессов, допинг, и соединения PN образуется при их интерфейс.
Диффузия движение: вещество всегда движется от места, где концентрация высокой к низкой концентрации, и движение из-за различия в концентрации становит диффузии движения. Когда p тип полупроводников и полупроводниковых N-типа изготавливаются вместе, на их интерфейс, большой концентрации разница между двумя перевозчиками, и таким образом обязательно распространяются отверстия в регионе P к N региона и в то же время, в регионе N свободных электронов также неизбежно диффундируют в регионе P. Так как свободных электронов, рассеянным в регионе P совпадает с отверстиями, и отверстия, рассеянным в регионе N соответствует свободных электронов, концентрацию ионов несколько уменьшается вблизи интерфейс, и отрицательные ионы появляются в регионе P. В регионе регионе положительный ион появляется в регионе N, и они недвижимого и стать обвинения пространства сформировать ε встроенный электрического поля.
По ходу движения диффузии пространственного заряда региона расширяется и усиливается встроенный электрическое поле. Направление-из региона N P региона, который только что происходит организовать движение диффузия.
Дрейфующих движения: под действием электрического поля силы, движение носителей называется дрейфующих движения.
Когда образуется заряд пространства региона, под действием электрического поля, встроенные, меньшинство имеет дрейфующих движения, отверстия переехать из области N P региона, и свободные электроны переехать из региона P N региона. Под нигде электрического поля и другие возбуждения количество multi-суб-частей участвующих в движении диффузии равно числу детей из числа меньшинств участвует в движении дрейф, таким образом достижение динамичного баланса и формирования соединения PN. В это время, регионе пространственного заряда имеет определенные шириной, и разность потенциалов ε = ухо, ток равен нулю.